《甘肅金川蘭新半導體封裝新材料（蘭州）生產(chǎn)線建設項目（一期）環(huán)境影響評價報告書（征求意見稿）》己基本編制完成，現(xiàn)按照《環(huán)境影響評價公眾參與辦法》的要求向公眾公示如下環(huán)境影響評價信息。

       一、項目概況

       建設項目名稱：甘肅金川蘭新半導體封裝新材料（蘭州）生產(chǎn)線建設項目（一期）

       建設地點：擬在甘肅省蘭州新區(qū)中川街以南，洮河街以北，鳳凰山路以東，青城山路以西。

       工程建設內(nèi)容及規(guī)模：本項目一期工程建設內(nèi)容為分立器件引線框架沖制型230萬K/年、IC引線框架沖制型1296萬K/年、IC引線框架蝕刻型660萬條/年、5G散熱片2000萬片/年、錫陽極材料1000噸/年。

       二、評價工作程序

       接受建設項目委托→簽訂項目環(huán)評合同→環(huán)評單位現(xiàn)場踏勘→建設方提供項目相關資料→環(huán)境現(xiàn)狀質(zhì)量調(diào)查→環(huán)境影響分析研究→編制環(huán)評報告書→報告書評估與審批。

       三、征求意見的公眾范圍

       本項目附近可能受影響的公眾、團體和單位，以及對本項目關注的公眾。

       四、征求公眾意見的主要事項

      （1）征求公眾意見內(nèi)容

       本次公示主要征求公眾對項目的環(huán)境影響和環(huán)境保護措施有關的建議和意見。

      （2）公眾調(diào)查主要方式

       ①對象為區(qū)域內(nèi)的居民、企業(yè)等相關受影響的人群；

       ②通過在網(wǎng)站實行網(wǎng)上公示，并對采集的反饋信息予以整理和分析；

       ③本次信息公示后，公眾可通過文后鏈接下載環(huán)境影響報告書征求意見稿及公眾意見表填寫反饋。公眾也可通過第四條聯(lián)系查閱紙質(zhì)報告書。

       五、公眾提出意見的方式和途徑

       公眾可通過填寫公眾意見調(diào)查表、傳真、電子郵件、信函等方式向建設單位或環(huán)評單位實名反饋意見，并請留下聯(lián)系方式，以便及時向提出意見的公眾反饋公眾意見采納與否的意見。

       建設單位：甘肅金川蘭新電子科技有限公司

       地址：甘肅省蘭州新區(qū)中川街以南，洮河街以北，鳳凰山路以東，青城山路以西

       聯(lián) 系人：孫總

       聯(lián)系電話：18993513376                E-mail：stx0932@163.com

       環(huán)評單位：甘肅創(chuàng)新環(huán)境科技有限責任公司

       地址：甘肅省蘭州市城關區(qū)高新S625號路以南5號13號樓20層02、03室

       聯(lián) 系人：仲工            傳真：0931-4619784

       聯(lián)系電話：13369435824      E-mail：332065644@qq.com

       六、公眾提出意見的起止時間

       公眾提出意見的起止時間為本公告發(fā)布之日起10個工作日。

       附件：

       1.建設項目環(huán)境影響評價公眾意見表

       2.《甘肅金川蘭新半導體封裝新材料（蘭州）生產(chǎn)線建設項目（一期）環(huán)境影響報告書（征求意見稿）》

                                                                                                    2023年4月10日

                                                                                                    甘肅金川蘭新電子科技有限公司